基本信息
王占国
出生年月：1938年12月
所在公司：中科院
毕业院校：南开大学
籍贯/国籍：河南省镇平县
学　　历：本科
 
简介
   男，1938年12月29日生于河南省镇平县。半导体材料和材料物理学家，中科院半导体所研究员，中科学院院士。1962年毕业于南开大学物理系，同年到中科院半导体所工作。1980年10月－1983年11月赴瑞典隆德大学固体物理系进修，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。1986年任半导体所研究员，材料室主任；1990年博士生导师，副所长；从1990年起先后任中科院半导体材料科学实验室主任、学委会主任，国际半导体和半绝缘材料，国际半导体缺陷识别、成像与物理会议等多个顾问委员会委员；2002年国际材联电子材料会议副主席兼程序委员会主席；2004年和2005年国际半导体和绝缘体材料会议和国际半导体缺陷识别、成像与物理会议主席；1991–2001年任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，因对“863”计划做出突出贡献，2001年“863” 计划十五周年时，被科技部授予先进个人称号；1996–2000年任国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长；2003年国家材料中长期科技发展战略研究新材料专家组组长；1996－2002年和2006－国家自然科学基金信息学部半导体学科评审专家组组长；国家科技奖励评审专家；天津经济技术开发区、河南郑州经济技术开发区等顾问；从1992年起先后任南京大学、西安交大、山东大学、河南大学和南开大学等多所高校兼职教授和多个国家、部门开放实验室学术委员、副主任和主任委员；多个国内学术刊物编委，中国电子学会高级会员、常务理事、半导体和集成技术分会主任，中国材料研究学会常务理事、副理事长；北京市人民政府第八届专家顾问团顾问和天津市人民政府特聘专家等。1995年当选为中国科学院院士，现任信息学部常委。

   1962-1970年，主要从事半导体材料、器件辐照效应和光学、电学性质研究。其中，硅太阳电池电子、质子辐照效应研究成果为我国人造卫星用硅太阳电池定型(由PN改为NP)投产起了关键作用；受中国人民解放军第14研究院的委托，他负责制定了我国电子材料、器件和集成电路辐照效应研究方案和实施计划，电子材料、器件和集成电路的电子、质子、中子和-射线的静态、动态和核爆瞬态辐照实验结果为我国航天事业、核加固、核突围和电子对抗等国防工程做出了贡献。

   1971-1980年，他负责设计、建成了低温电学测量和光致发光实验系统，并对GaAs和其它III-V族化合物半导体材料的电学、光学性质进行了研究。其中，体GaAs热学和强场性质的实验结果以及与林兰英先生一起提出的“GaAs质量的杂质控制观点”，对我国70年代末纯度GaAs材料研制方向的战略转移和GaAs外延材料质量在80年代初达国际先进水平贡献了力量。

   1980-1983年，经黄昆和林兰英两位所长推荐，他作为访问学者，赴国际著名的深能级研究中心瑞典隆德大学固体物理系，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。在国际该领域的权威H.G.Grimmeiss教授等的大力支持和合作下，做出了多项有国际影响的工作,如提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷不同能态新方法,解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论；提出了混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理新模型, 解释了它们的物理实质；澄清和识别了一些长期被错误指派的GaAs中与铜等相关的发光中心等。在这期间发表的10篇论文，截止1995年5月，被引用200余次。

   1984-1993年，在半导体材料生长及性质研究中,先后负责承担多项国家自然科学基金、国家重点科技攻关和国家高技术“863”研究课题。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据, 为提高GaAs质量器件与电路的成品率提供了依据。与人合作，提出了直拉硅中新施主微观结构新模型, 拚弃了新施主微观结构直接与氧相关的传统观点, 成功地解释了现有的实验事实, 预示了它的新行为；在国内率先开展了超长波长锑化物材料生长和性质研究, 并首先在国内研制成功InGaAsSb, AlGaAsSb材料及红外探测器和激光器原型器件。协助林兰英先生,开拓了我国微重力半导体材料科学研究新领域,首次在太空从熔体中生长出GaAs单晶并对其光、电性质作了系统研究,受到国内外同行的高度评价。
从1993开始，他工作的重点已集中在半导体低维结构和量子器件这一国际前沿研究方面，先后主持和参与负责10多个国家863、国家重点科技攻关，国家自然科学基金重大、重点和面上项目以及中科院重点、重大等研究项目。他和MBE组的同事一起，在成功地生长了国内领先、国际先进水平的电子迁移率(4.8K)高达百万的2DEG材料和高质量、器件级HEMT和P-HEMT结构材料的基础上,近年来，又发展了应变自组装In(Ga)As/GaAs，InAlAs/AlGaAs/GaAs, InAs/InAlAs/InP和InAs/InGaAs/InP等量子点、量子线和量子点（线）超晶格材料生长技术，并初步在纳米尺度上实现了对量子点（线）尺寸、形状和密度的可控生长；首次发现InP基InAs量子线空间斜对准的新现象，被国外评述文章大段引用；成功地制备了从可见光到近红外的量子点（线）材料，并研制成功室温连续工作输出光功率达4瓦(双面之和)的大功率量子点激光器，为目前国际上报道的最好结果之一；红光量子点激光器的研究水平也处在国际的前列；最近，他作为国家重点基础研究规划项目“信息功能材料相关基础研究”的首席科学家，又提出了柔性衬底的概念，为大失配异质结构材料体系研制开辟了一个可能的新方向。

   上述研究成果曾获国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖,中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步一, 二和三等奖，何梁何利科学与技术进步奖，国家重点科技攻关奖以及优秀研究生导师奖等10多项；从1983年以来，先后在国外著名学术刊物发表论文180多篇，培养博士、硕士和博士后数十名。

履历
   1962年毕业于南开大学物理系，同年到中科院半导体所工作。1980年10月－1983年11月赴瑞典隆德大学固体物理系进修，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。1986年任半导体所研究员，材料室主任；1990年博士生导师，副所长；从1990年起先后任中科院半导体材料科学实验室主任、学委会主任，国际半导体和半绝缘材料，国际半导体缺陷识别、成像与物理会议等多个顾问委员会委员；2002年国际材联电子材料会议副主席兼程序委员会主席；2004年和2005年国际半导体和绝缘体材料会议和国际半导体缺陷识别、成像与物理会议主席；1991–2001年任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，因对“863”计划做出突出贡献，2001年“863” 计划十五周年时，被科技部授予先进个人称号；1996–2000年任国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长；2003年国家材料中长期科技发展战略研究新材料专家组组长；1996－2002年和2006－国家自然科学基金信息学部半导体学科评审专家组组长；国家科技奖励评审专家；天津经济技术开发区、河南郑州经济技术开发区等顾问；从1992年起先后任南京大学、西安交大、山东大学、河南大学和南开大学等多所高校兼职教授和多个国家、部门开放实验室学术委员、副主任和主任委员；多个国内学术刊物编委，中国电子学会高级会员、常务理事、半导体和集成技术分会主任，中国材料研究学会常务理事、副理事长；北京市人民政府第八届专家顾问团顾问和天津市人民政府特聘专家等。1995年当选为中国科学院院士，现任信息学部常委。